簡要描述:半導體管特性圖示儀 QT-2B* QT-2B半導體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二極管、三極管的低頻直流參數,大集電極電流可達50A,基本滿足功率500W以下的半導體管的測試。* 本儀器還附有的測試裝置,可對5000V以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,其測試電流靈敏度達到0.5uA/度。
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半導體管特性圖示儀 QT-2B
* QT-2B半導體管特性圖示儀可根據需要測量半導體二極管、三極管的低頻直流參數,大集電極電流可達50A,基本滿足功率500W以下的半導體管的測試。
* 本儀器還附有的測試裝置,可對5000V以下的半導體管進行擊穿電壓及反向漏電流測試,其測試電流靈敏度達到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基極階梯信號還具有脈沖階梯輸出,因此可擴大測量范圍及對二次擊穿特性的測量。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB), -6V~+6V連續(xù)可調。特別適宜大功率VMOS管測試。
1. 集電極電流偏轉系數
a) 集電極電流范圍(Ic): 1μA/度~5A/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
b) 二極管電流范圍(ID) :1μA/度~500μA/度。1、2、5進制分9檔,各檔誤差不大于3%。
c) 集電極電流及二極管電流倍率×0.5,誤差不大于10%。
d) 基極電流或基極源電壓0.1V/度,誤差不大于3%。
2. 集電極電壓偏轉系數
a) 集電極電壓范圍(Uc): 10mV/度~50V/度。按1、2、5進制分21檔級,各檔誤差不大于3%。
b) 二極管電壓范圍(UD): 100V/度~500V/度。按1、2、5進制分3檔級,各檔誤差不大于10%。
c) 基極電壓范圍(UBE):10mV/度~1V/度按1、2、5進制分7檔級,各檔誤差不大于3%。
d) 基極電流或基極源電壓::0.05V/度,誤差不大于3%。
3. 基極階梯信號
a) 階梯電流范圍(IB): 10uA/度~200mA/度。按1、2、5進制分17檔級,各檔誤差不大于5%。
b) 階梯電壓范圍(UB): 50mV/度~1V/度。按1、2、5進制分5檔級,各檔誤差不大于5%。
c) 串聯(lián)電阻:0Ω、10KΩ、100KΩ,各檔誤差不大于10%。
d) 階梯波形:分正常(99%)及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調節(jié)范圍為10~40%。
e) 每簇級數:0~10級,連續(xù)可調。
f) 階梯偏置電壓(△VB):-6V~+6V,連續(xù)可調。
g) 階梯作用:分重復、關、單次三檔級。
h) 階梯輸入:分正常、零電流、零電壓三檔級。
i) 階梯極性:分正、負二檔。
4. 集電極掃描電壓
a) 輸出電壓與檔級: 0~10V 正或負連續(xù)可調
0~50V 正或負連續(xù)可調
0~50V 正或負連續(xù)可調
0~100V 正或負連續(xù)可調
0~500V 正或負連續(xù)可調
b) 輸出電流容量: 0~10V 50A(脈沖階梯工作狀態(tài)時)
0~10V 20A(平均值)
0~50V 10A(平均值)
0~100V 5A (平均值)
0~500V 0.5A(平均值)
c) 功耗限制電阻: 0~500KΩ 按1、2、5進制分20檔級,各檔誤差不大于10%。
d) 整流方式: 全波
e) 輸出極性: +,-
f) 集電極容性電流; 平衡后不超過2uA(10V檔)
g) 集電極漏電流; 平衡后不超過2uA(10V檔)
5. 二極管測試裝置
a) 輸出電壓: 0~5000V 正向連續(xù)可調
b) 輸出電流容量: 大為5mA
c) 整流方式: 半波
6. 其他
a) 適配器
測試座、三極管測試座、 功率三極管測試座
b) 重量 約30kg。
c) 外形尺寸
300mm×408mm×520mm(W×H×D)。
d) 功耗: 非測試狀態(tài)時: 約80VA;
大功率時: 約300VA。
e) 輸入電壓: 220V±10%;
f) 頻率: 50HZ±5%。
g) 示波管: 15SJ118-DC 有效工作面8×10cm。
h) 電磁兼容性
傳導干擾應符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
輻射干擾應符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
環(huán)境應符合GB/T 6587.1中Ⅱ級儀器的規(guī)定,運輸試驗按2級
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